我們在《什麼是第三代半導體》這篇文章裡面提過氮化鎵（GaN）是第三代半導體的兩大主角之一。建議您， 一定要先看一下先前的這一篇文章，接著再來往下讀。
氮化鎵的優勢
納微（Navitas，美股代碼：NVTS）宣稱，他們⽣產的氮化鎵功率半導體，速度是傳統矽晶片的20倍、並能傳送3倍的電壓，⽽且尺⼨和重量只有矽晶片的⼀半。
在2021年6月的投資⼈會議上，納微執⾏⻑Gene Sheridan現場展⽰了使⽤氮化鎵晶片製成的⼿機充電器，體積是⼀般充電器的⼀半，半⼩時內就能充飽50%的電⼒。Sheridan說，下一代代的氮化鎵充電器，⽬標是在8分鐘內充飽50%的電⼒。
發展情形
第三代半導體發展，⼤多朝GaN on SiC（碳化矽基氮化鎵）以及GaN on Si（矽基氮化鎵）兩條路線發展，前者應⽤於基地台⾼頻，後者多應⽤於中低頻部分。不過雖有⾼低頻應⽤上的差異，但兩者都有各⾃的挑戰需要克服，前者在於碳化矽（SiC）基板主要掌握在國際少數廠商⼿上，像是Wolfspeed（美股代碼：WOLF），使得成本居⾼不下；後者在於化合物材料⻑在矽基材上⾯，有晶格不匹配等製程上的問題需要克服。
價格
氮化鎵充電器功能雖然強⼤，售價也比矽晶片充電器貴上20%。Sheridan預測，兩年內氮化鎵充電器的成本將與矽充電器打平，3年後氮化鎵充電器會比矽充電器更便宜。
應用領域
氮化鎵目前主要用在行動裝置的電池快速充電等小型的系統上，例如手機和筆電；氮化鎵功率晶片商納微預測，5年後⼿機充電器將捨棄傳統矽晶片，轉向擁抱氮化鎵半導體。
但由於電動車才是最大的市場，氮化鎵當然也早已進入這個市場。
而在常見的汽車、消費電子快充裝置之外，無論是軍艦上的相控雷達，還是高鐵上的絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor ，IGBT）器件，氮化鎵等材料都有著廣泛且必不可少的應用，民用市場、軍用市場，未來的規模上限都很高。
潛在的市場
TrendForce集邦諮詢預測：2025年第三代半導體碳化矽/氮化鎵功率市場規模合計可達47.1億美元，相比2020年7.3億美元CAGR為45%。增長率雖高，但對比納微2026年超過200億美元市場的預測，相隔一年預測值卻有著高達5倍以上的差別。
納微認為，氮化鎵擁有龐⼤的市場潛能，2020年矽功率半導體的市場規模為90億美元，估計2026年增⾄130億美元。氮化鎵市場有望每年成⻑兩倍，2026年市值達到20億美元，占整體功率晶片市場的16%。此外，納微也⽣產⾞載充電器（onboard charger），速度是⼀般電動⾞充電器的3倍，相關技術並能協助太陽能⾯板更為普及。
主要廠商
納微
於2021 年預估在氮化鎵產品市占率可占到29%的納微（美股代碼：NVTS），這是⼀家⼩型但成⻑快速的美商半導體設計公司，是氮化鎵市占第⼀名的公司，它的主要代⼯廠就是台積電。
在電動汽車領域，納微的客戶包括比亞迪（美股代碼：BYDDY）、路虎（未上市）、梅賽德斯（美股代碼：DMLRY）、吉利（美股代碼：GELYF）等數十家巨頭。除了電動汽車，納微還在太陽能和儲能以及鐵路、電網、工業電機等更廣泛的工業市場擁有不少的大型的客戶。
其它廠商
氮化鎵第⼆名到第四名的廠商分別為Power Integrations（美股代碼：POWI）、英諾賽科（中國⼤陸公司）及EPC等。
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