被美國禁運的中芯（SMIC）現在如何了？

被美國禁運的中芯呢？

台積電的投資人和台灣民眾，都很關心被美國禁運的中芯現在如何了。

關於中芯，請參見我部落格中的相關貼文：《台積電（TSMC）的2大長期威脅：美國和中芯》，《梁孟松是中芯（SMIC）突破美國封鎖的功臣》，《台積電，英特爾，三星，中芯，Rapidus良率和先進製程的比較》和《台積電，英特爾，三星，中芯，Rapidus未來晶片的新製程路線圖對照表》

晶片製程技術

成功開發出7奈米

在完善 28 奈米和 14 奈米製程後，梁孟松更在美國禁運，多方阻撓，中芯沒有艾斯摩爾的EUV，多數人認為是不可能辦到的前提下，2023年協助中芯成功開發出 7 奈米製程。

「日經新聞」先前報導，半導體調查公司TechanaLye社長清水洋治說，中芯的實力只落後台積電3年，尤其中芯採用7奈米技術，整體表現卻能和台積電5奈米性能同等級，代表陸製半導體的設計能力已進一步提升。

5奈米已經量產成功

2025年12月，媒體報導Wccftech拆解研究證實：中芯以多重圖案化開發出 5 奈米製程並獲得突破，中芯在沒有艾斯摩爾的EUV的困難情況下，已成功量產5 奈米節點的製程，也就是中芯N+3 的大量生產。華為的麒麟 9030 系統單晶片（SoC）則開始正式使用此先進節點製成來生產製造。

艾斯摩爾受限於美國禁令，無法出售最先進的EUV給陸廠，中芯只能仰賴深紫外光（DUV）設備，DUV波長達193~248奈米，遠遠不及EUV的13.5奈米。中芯要製造先進製程晶片，得要重複曝光，這不只提高了晶圓生產成本，也相當費時。

DUV 浸潤式曝光機的最小波長為 193 奈米。相較之下，EUV 曝光機的波長僅為 13.5 奈米，能在更小節點時提供了更多的生產可能性。因此，在使用 DUV 浸潤式曝光機進行先進製程的製程技術生產時，其所耗費的成本，以及最後的良率狀況，將會是最重要的關鍵。

外界估計中芯的5奈米晶片，生產成本比台積電使用EUV的5奈米貴了50%。Wccftech 報導指出中芯將在 2025 年完成其 5 奈米製程技術的開發，但因只能仰賴深紫外光（DUV）設備，目前良率推估僅為台積電在同一技術上的良率的1/3，約33%。

3奈米已有腹案

美國《Tom’s Hardware》雜誌已指出中芯和華為已經使用DUV和多重圖案化申請了3奈米製程的專利，合理推論中芯早就發展出3奈米製程的技術了，商業化推出時程只是時間早晩的問題。

註：華為已經宣佈在2024年底和2025年將推出採用5奈米工藝的晶片。而華為晶片的代工廠就是中芯。

註：中芯是台積電長期的唯二對手之一，詳情請見我的另一篇貼文《台積電（TSMC）的2大長期威脅：美國和中芯》

註：艾司摩爾執行長富凱（Christophe Fouquet）在公布2024年第3季財報時表示，中國大陸企業具備自行生產5奈米、3奈米晶片的潛力，但只因為沒有EUV，只能用DUV，造成產量和良率可能受限。

中芯的晶片製程良率

談到中芯，就必需談到以下兩件事：

• 由於美國懼怕中國的崛起，聯合各國對中國進行科技封鎖，其中先進半導體的製造設備和材料禁運更是密不透風，造成中芯在14奈米製程以後的推進受到很大的延誤。
• 中芯近年來的先進製程和良率，有一個關鍵人物梁孟松；詳情請點選我的這篇貼文《梁孟松是中芯（SMIC）突破美國封鎖的功臣》

梁孟松加入後良率大幅改善

2017 年，梁孟松加入中芯後，中芯國際 28 奈米製程良率便開始提⾼。

由於太晚研發 22 奈米⽽錯失量產良機，他決定直接跳過下⼀代 22 奈米製程，轉攻量產 14 奈米製程策略。

梁孟松將 14 奈米製程良率在 298 天內，從3%⼤幅提升⾄95%以上，使得中芯成為繼台積電、聯電、三星、格羅⽅德和英特爾後，全球第六家能⽣產14奈米晶片的企業之⼀；也成為全球第五家能製造12 奈米製程的企業。

無法取得EUV下先進製程的突破

3奈⽶2026年流片

中芯已啟動3奈⽶晶⽚研發，採⽤GAA環繞柵極技術和⼆維材料，預計2026年流⽚。同時，基於碳奈⽶管的3奈⽶碳基晶⽚已完成實驗室驗證，正在中芯國際進⾏產線適配。

2025年做出5奈米

2025年5月，華為與中芯國際聯手，以多重圖案化開發出 5 奈米製程並獲得突破，中芯在沒有艾斯摩爾的EUV的困難情況下，已在2025年生產出5 奈米製程的晶片，並用於華為的麒麟X90晶⽚。華為透過中芯國際N+2製程與⻑電科技(JCET)4奈⽶封裝技術來⽀撐量產，其實際製程技術相當於7奈⽶，主要透過⼩晶⽚（Chiplet）設計，再藉由先進封裝技術整合實現性能躍升。

5奈⽶技術路線徹底避開EUV光刻機依賴，華為採⽤上海微電⼦(SMEE)研發的SSA800系列步進掃描光刻機，通過多重曝光實現5奈⽶線寬；刻蝕機採⽤中微公司(AMEC)的5奈⽶刻蝕設備，精度達到原⼦級，號稱刻蝕速率⽐國際⽔準提升15%。⾄於量測設備，北⽅華創(NAURA)的電⼦束量測系統，實現奈⽶級缺陷檢測的國產化替代。也就是說，5奈⽶的突破，帶動⼤陸國內半導體設備、材料、設計⼯具等全產業鏈發展。

2023年做出7奈米

中芯沒有艾斯摩爾的EUV，多數人認為是不可能辦到的前提下，2023年協助中芯以DUV成功開發出 7 奈米製程。EUV設備進行7奈米工藝只需9道工序，但使用DUV設備則需要34道工序，2024年5月時，市場專業人士推估中芯7奈米晶片良率業界估計約在50%以下。

用DUV生產先進製程已達40%的良率，目標60%

2025年2月，英國金融時報引述兩名知情人士說法報導，在被迫只能用DVU的前提下，中芯採用N+2製程，能夠不用極紫外光（EUV）技術為華生產的先進AI晶片昇騰910C的良率，已由一年前的20%提高到能夠賺錢的40%。

中芯的目標是將良率提高到台積電為輝達生產的同級H100晶片的60%良率。Creative Strategies顧問公司據此一基礎表示，中芯40%的良率將能夠商業化───意思就是這樣的良率水準不僅不會虧本，還可以賺錢。

2024年起的世界前三⼤晶圓代⼯廠

依據TrendForce集邦諮詢6⽉12⽇發布的調查顯⽰:2024年⾸季全球前10⼤晶圓代⼯廠產值為292億美元、季減4.3%。其中的前三大如下：

• 台積電營收季減約4.1%⾄188.5億美元，市占61.7%。
• 三星營收季減7.2%⾄33.6億美元，市占降⾄11%。
• 中芯營收季增4.3%⾄17.5億美元，表現優於同業，市占5.7%、⼀舉超越格芯與聯電躍升⾄第3名。

值得一提的是，中芯排名已經上升⾄第3名，拉近和三星的距離，三星以往幾年市佔長期都在15-17%間。這也印證了我在三年前的貼文中的觀點《台積電（TSMC）的2大長期威脅：美國和中芯》

中芯現在比被美國禁運前更為強大，不僅在沒有EUV的情形下，造出了7奈米和5奈米晶片，而且良率竟能打破所有人的眼鏡，突破40%，達到能賺錢的門檻。

更重要的是，2024年的一整年開始，中芯已經是全球第三大的晶圓代工廠了，而且和三星的市佔拉近至約5至6個百分點。

中芯28奈米降價40%

2025年1月，中芯無預警調降28奈米價格，每片從2500美元下降至1500美元，跌幅達到40%，高達一千美元的價差相當罕見，震撼市場。

我在《常見的6大半導體投資迷思》貼文中強調過：世界上絕大部份的晶片都不需要先進製程。尤於中芯2024年開始已是全球第三大的晶圓代工廠，這次的降價將對全世界的成熟製程產生重要的影響，聯電，世界先進，格芯；甚至於三星和台積電的成熟製程，若不強迫客戶綁成熟製程，前景都會受到影響。

TrendForce表示，數據顯示，2024年台灣在成熟製程的市佔率為44%領先全球，但中國以31%緊追在後，等到2027年，中國會取得重大進展，市占率提升至39%，台灣會下降至40%左右，雙方幾乎沒有差距。再往後，中國將會主導控制全世界的成熟製程市場。

這也是為何美國和歐盟在2024年起，因為競爭不過中國的成熟製程，嚷著又要開始制裁中國成熟製程所需的半導體設備的原因了。是的，相同的招術又來了！

沒有EUV的影響

中芯如何突破？

中芯沒有EUV，轉而依賴較舊的深紫外線 (DUV) 曝光技術，並結合一種稱作自對準四重圖案化 (SAQP) 的複雜方法。靠這項複雜製程生產出5奈米和7奈米晶片，但與台積電使用的最新技術相比，成本更高、耗時更長，而且產量更低。

未來呢？

中國本土的半導體設備商新凱來（SiCarrier ）和中微（SMEE），以及哈爾濱工業大學等學術單位都在加緊開發艾斯摩爾EUV的替代品，而且初步成果都證實可行，需要的就只是時間和如何落實的問題。產業界，包括艾斯摩爾，都相信幾年內中國就可以造出艾斯摩爾EUV的替代品。

如果中芯有EUV

根據過去三四年中芯被美國半導體設備禁運後的表現，假設中芯買得到EUV光刻機的話，正常人都明白，台積電的好日子就快要到盡頭了。人才、設備、資金、市場、賣肝的程度、政府支持；那一項中芯沒有，除了EUV光刻機之外。

結語

套一句尼采（Friedrich Nietzsche）曾說過的話：「凡殺不死我的，必使我更強大。」中芯和華為都證明了，有辦法挺過美國無理禁運而活下來的，這兩家公司向世人和美國展現出───現在反而比被美國禁運前更為強大。

那些不敢向美國說不，屈從於美國的日本半導體業，法國的阿爾斯通，東芝，威盛，宏達電和台灣的面板業；無一例外，全都倒下，沒有一個倖存。

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